SI3434DV-T1-GE3
Vishay Siliconix
Deutsch
Artikelnummer: | SI3434DV-T1-GE3 |
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Hersteller / Marke: | |
Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 30V 4.6A 6TSOP |
Datenblätte: |
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RoHs Status: | ROHS3 -konform |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
Ship From: Hong Kong
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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VGS (th) (Max) @ Id | 600mV @ 1mA (Min) |
Vgs (Max) | ±12V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Supplier Device-Gehäuse | 6-TSOP |
Serie | TrenchFET® |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 34mOhm @ 6.1A, 4.5V |
Verlustleistung (max) | 1.14W (Ta) |
Verpackung / Gehäuse | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
Paket | Tape & Reel (TR) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Befestigungsart | Surface Mount |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 12 nC @ 4.5 V |
Typ FET | N-Channel |
FET-Merkmal | - |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4.5V |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 30 V |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 4.6A (Ta) |
Grundproduktnummer | SI3434 |
SI3434DV-T1-GE3 Einzelheiten PDF [English] | SI3434DV-T1-GE3 PDF - EN.pdf |
MOSFET N-CHANNEL 30V 5A SOT23
MOSFET N-CH 30V 4.6A 6-TSOP
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MOSFET P-CH 150V 1.4A 6-TSOP
MOSFET P-CH 150V 1.4A 6TSOP
2024/06/6
2024/04/18
2024/04/13
2023/12/20
![]() SI3434DV-T1-GE3Vishay Siliconix |
Anzahl*
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Zielpreis (USD)
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